東莞市單晶電子科技有限公司
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單晶銅出產(chǎn)加工及其單晶銅制備技術(shù)
、一種鍵合銅絲及其制備辦法
、鍵合銅絲及其制備辦法
、單晶成長辦法及單晶成長設(shè)備
、成長金紅石晶體的辦法
、選用電泳技術(shù)制備大面積高溫超導(dǎo)鋇釔銅氧厚膜的辦法
、一種金屬氧化物超導(dǎo)薄膜的制備辦法
、組成人工金剛石無鈷減鎳觸媒
、磷酸氧鈦鉀單晶膜鉀離子選擇性電極
、金屬眼鏡架
、一種釹鋇銅氧超導(dǎo)單晶體的制備辦法
、鐵基合金催化劑及其制備辦法
、具有磁性能的商品及其制備技術(shù),和用此商品制作的磁體
、去掉硅單晶中重金屬雜質(zhì)的辦法
、微型液芯集成光波導(dǎo)構(gòu)造及其制作辦法
、拋光混合物和減少硅晶片中的銅混入的辦法
、研磨用組合物及用該組合物研磨的辦法
、過渡金屬多重?fù)诫s負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻
、一種鋁錳玻璃粉及其在a-Al2O3單晶片的使用
、銅與不銹鋼異種金屬真空釬焊水接頭的超聲波自動檢測體系
、一種制備Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜的辦法
、一種用于單晶爐的柔性水冷金屬電極
、一種新式熱型連鑄鍛造爐
、熱型接連鍛造法多股出產(chǎn)單晶銅桿的設(shè)備
、高安穩(wěn)電光Q開關(guān)鈮酸鋰晶體及其制備辦法
、濺射法在硅基片上制備高巨磁電阻效應(yīng)納米多層膜及其制備辦法
、一種鎳錳鎵磁性帶材的制備辦法
、布拉格光柵氫氣傳感器及其制備技術(shù)
、用于修正單晶合金的分散粘結(jié)混合物
、檢測N型重?fù)焦鑶尉蝈V晶格缺點的辦法
、半導(dǎo)體器材與集成電路硅單晶拋棄片的收回使用辦法
、金屬單晶連鑄技術(shù)的操控辦法及配備
、一種使用Cu誘導(dǎo)硅片表面COP的測驗辦法
、用于組成含硼金剛石單晶的鐵-鎳-硼-碳系催化劑及其制備辦法
、氣相堆積制備單晶摻雜氧化鋅納米管的辦法及其設(shè)備
、稀土鋇銅氧薄膜作籽晶同質(zhì)外延成長超導(dǎo)塊體資料的辦法
、鐵電陶瓷化合物,鐵電陶瓷單晶及其制備辦法
、射頻電感的制備辦法
、一種離子液體潤滑劑
、一種二元鋁青銅線材接連定向凝結(jié)制備辦法
、一種用于p型透明導(dǎo)體的層狀資料及制備辦法
、硅拋棄片表面金屬的去掉和貴金屬銀鉑金的收回辦法
、天線比決議辦法
、一種制作鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛單晶縱振換能器的辦法
、一種鍵合銅絲及其制備辦法
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、稀土鋇銅氧薄膜作籽晶同質(zhì)外延成長超導(dǎo)塊體資料的辦法
、a軸取向的釔鋇銅氧超導(dǎo)厚膜的氧氛圍操操控備辦法
、單晶硅制備中稀土鑭系基合金吸氣劑提純氬氣與氬氣收回技術(shù)
、一種低維鉬氧化物青銅單晶的制備辦法
、一種高鋁銅合金精細管材短流程高效制備辦法
、一種純銅及銅合金帶材的短流程高效制備辦法
、一種制備交聯(lián)聚合物薄膜的化學(xué)辦法
、一種溫度感知開關(guān)動作的銅合金制備辦法
、一種樹狀分形構(gòu)造的微觀ZnO單晶資料及其制備辦法
、一種制備釤鋇銅氧單疇超導(dǎo)塊材的辦法
、鎢酸鋯-銅梯度復(fù)合薄膜的制備辦法
、一種選用電磁冷坩堝接連熔鑄鈦合金近單晶錠的辦法
、以制備的氧化銅為晶種組成紡錘體狀和棒狀La2CuO4的辦法
、強電介質(zhì)單晶、使用其的彈性表面波濾波器及其制作辦法
、45°稀土鋇銅氧薄膜籽晶高速成長超導(dǎo)塊材的辦法
、一種基于熱電效應(yīng)的雙金屬太陽能電池制作辦法
、一種納米級遠紅外陶瓷粉及其制備辦法
、三維疊氮銅配位聚合物磁性資料和制備辦法及其使用
、一種納米晶增強圖形化發(fā)光復(fù)合膜的制備辦法
、單晶資料出產(chǎn)的新爐型
、單晶連鑄微機操控設(shè)備
、太陽能硅單晶爐的組合銅排
、具有鈦銅鎳復(fù)合鍍覆構(gòu)造的金剛石或立方氮化硼單晶體
、一種用于單晶爐的柔性水冷金屬電極
、音頻輸出變壓器