隨著電子信息時代的飛速發(fā)展，其應(yīng)用基礎(chǔ)與核心的大規(guī)模集成電路、超大集成電路和甚大規(guī)模集成電路的特征間距尺寸已走過了0.18µm、0.13µm、0.10µm 的路程，直至當(dāng)今的0.07µm生產(chǎn)水平。其集成度也達(dá)到數(shù)千萬只晶體管至數(shù)億只晶體管，布線層數(shù)由幾層發(fā)展至10層，布線總長度可高達(dá)1.4Km。這樣一來，硅芯片上原由鋁布線實現(xiàn)多層互連，由于鋁的高電阻率制約，顯然難以得到發(fā)揮。所以在芯片特征間距尺寸達(dá)到0.18µm或更小時，根據(jù)研究我們采用了電阻率低、電氣性能和機(jī)械性能俱佳，以及價格低廉的單晶銅絲進(jìn)行了多次的鍵合試驗，結(jié)果解決了多層布線多年要解決的難題。同樣情況，由于芯片輸入已高達(dá)數(shù)千輸入引腳的大量增加，使原來的金、鋁鍵合絲的數(shù)量及長度也大大增加，致使引線電感、電阻很高，從而也難以適應(yīng)高頻高速性能的要求，在這種情況下，我們同樣采取了性價比都優(yōu)于金絲的單晶銅純銀（ф0.018mm）進(jìn)行了引線鍵合，值得可賀的是鍵合后結(jié)果取得了預(yù)想不到的成功。從此改變了傳統(tǒng)鍵合金絲的市場壟斷，實現(xiàn)了單晶銅絲鍵合引線在中國集成電路微電子封裝產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)中的應(yīng)用未來發(fā)展前景十分廣闊。同時也填補了中國在這一領(lǐng)域的空白，節(jié)省貨幣金屬黃金消耗，增加了中國黃金戰(zhàn)略儲備具有一定重大的意義。

美、日、歐等發(fā)達(dá)國家，經(jīng)過對單晶銅布線及其引線鍵合的多年研發(fā)工藝，技術(shù)已日漸成熟，近幾年少數(shù)高校及科研院所（如哈工大）和該公司一樣未雨綢繆，開展了對單晶銅引線可靠性的探索和研究，并取得了可喜的成果。

近幾年來，根據(jù)國內(nèi)外集成電路封裝業(yè)大踏步的快速發(fā)展，該公司緊跟這一發(fā)展趨勢，在全國率先研發(fā)生產(chǎn)出單晶銅鍵合絲，其直徑規(guī)格最小為ф0.016mm，可達(dá)到或超過傳統(tǒng)鍵合金絲引線ф0.025mm和緝拿和硅鋁絲ф0.040mm質(zhì)量水平。為促進(jìn)技術(shù)成果盡快向產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移，促進(jìn)生產(chǎn)力的發(fā)展，為此，我們一直期待著能早日為集成電路封裝業(yè)高尖端技術(shù)的應(yīng)用做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。